半导体研究公司SemiAnalysis发布了华为最新旗舰麒麟9030芯片的最新拆解报告。该芯片采用中芯N+3工艺（先进的7nm工艺），N+3密度追赶台积电的N6（7纳米系列强化）。不过，他们是通过蛮力推进，因此并非平局。 该芯片的线宽也比英特尔用于PC处理器“Panther Lake”的18A工艺窄约10%。残酷的现实是，更窄的线宽并不一定意味着芯片更好。这份报告再次证实，中国半导体技术仍落后于台积电和英特尔多年。

SemiAnalysis发布了其拆解实验室STEEL（半导体分析拆解工程与评估实验室）的最新报告，对华为最新旗舰麒麟9030芯片进行了电子显微镜级别的逆向工程分析。

报告指出麒麟9030的线宽比台积电N6 Helio G99小，但这并不代表芯片或工艺的优势，也不代表逻辑切换速度或功耗; 就纯密度而言，SMIC的DUV节点确实比单个EUV节点更密集。

报告指出，为了在无极紫外的情况下实现EUV级别密度，SMIC采用了两项核心技术：一种是多图案化，但每多一步都会增加一层遮蔽、更易产生比对误差、成本增加以及产量降低。

第二种技术是DTCO（设计技术协作优化），它将芯片设计和制造技术结合优化。每种DTCO技术可以回收少量面积，但使晶体管更脆弱，更难建模。 所以中芯国际在密度上正在追赶台积电的EUV节点，但他们是靠蛮力推进，所以其实并不算平局。 这就是故障的开始，因为这部分很容易修复，但提升速度和效率就更难了。

报告指出，在DTCO框架下，速度和效率必须分开追求，不能同时处理。这就是N+3流程的现实。麒麟9030 Pro的性能大致相当于三年前的Android旗舰水平。

与英特尔的18A相比，18A在纸上可实现32纳米的M0金属螺距，匹配N+3。 但在Panther Lake项目上，英特尔广泛采用更宽松的36nm高性能单元配置，金属间距更宽，降低成本并提升良率。 拥有选择扩展地点和方式的自由本身就是一种优势。

此外，18A的背后供电技术允许在芯片背面引入电源连接，释放了前置金属布局空间——这是SMIC N+3所不具备的功能。

报告指出，尽管中芯未来的N+4密度大致可与台积电的N5相当，但N+5结合其背后的电源技术，可达到英特尔18A级别的密度。 但每一次优化都是积累的挑战。每一个新流程都比上一个更慢、更昂贵、更难宽容。他直言不讳地说：“你可以继续攀爬墙，但墙会越来越陡峭。”