根据韩国经济日报（Korea Economic Daily）报道，三星计划在2031年前推出1纳米制程芯片，采用“叉片式”（fork sheet）方法，从而在相同面积内封装更多晶体管。

　　三星除了研发第二代和第三代2纳米GAA（全环闸极）制造外，一份最新报告指出，三星正在努力推出其最先进的1纳米技术，该技术被誉为“梦幻半导体”（dream semiconductor）制程。这家韩国巨头还需要几年时间才能准备好展示这项技术。

　　据称，三星1纳米研发计划将于2030年完成，制造流程设计于2031年推出。当然，将制程从2纳米缩小到1纳米几乎是不可能的任务，但据说三星将采用“叉片式”（fork sheet）方法，从而在相同面积内封装更多晶体管。

　　根据《韩国经济日报》指出，三星计划透过在GAA装置之间添加一层非导电隔膜来实现其2纳米以下制程的量产，类似于在可用空间中插入叉子，因此得名“叉片”。

　　与住宅建筑中草坪环绕建筑的做法类似，三星的做法是移除这些草坪，增加更多结构，从而在相同的芯片面积内制造更多晶体管。

　　wccftech报道，去年，有传言称三星出于不明原因取消其1.4纳米制程，但后来有报道称，该公司已将该流程推迟至2028年，可能是因为其希望将注意力转移到2纳米GAA技术上。

　　三星持续面临生产难题，很可能是因为当时它没有探索采用分片制程。借助进一步的研究，该公司或许已经解决了这个问题，但其1纳米制程能否成功实施，还有待时间检验。以Exynos 2600为例，芯片有功耗尖峰问题，在执行Geekbench 6等基准测试时，SoC的功耗高达30W，显示三星尚未解决其2纳米GAA制程的能源效率问题。

　（彭博资料照片）