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中国半导体水准 仅落后台积电3年?
wforum.com  2024-08-27 07:50  ettoday

 

  日媒报道,日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治表示,经过分析,尽管良率上仍存有差异,但是中国芯片的技术实力,目前仅落后台积电3年的水准。

  日经中文网今天报道,清水洋治是在比较台积电2021年量产的5奈米“KIRIN 9000”,以及2024年中芯国际量产的7奈米“KIRIN 9010”后,作出上述结论。根据报道,二者的处理性能已基本相同。

  “KIRIN 9010”是由华为旗下的海思半导体设计,由中国半导体厂中芯国际负责量产,这一处理器在今年4月上市的华为最新款智慧手机Pura 70 Pro上使用;而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”是由海思半导体设计,台积电负责量产。

  报道指出,美国政府对中国华为启动的出口禁令已有5年,美方一直在采取遏制中国芯片技术的措施,但是成效至今少有讨论。

  美国政府的警惕对象中芯国际,采用的是线路线宽为7奈米的技术;而台积电当时采用5奈米的量产制程,向华为供应处理器。

  一般来说,如果线路线宽变窄,半导体的处理性能就会提高,半导体面积则会变小。据报道,中芯国际以7奈米量产的芯片面积为118.4平方毫米,台积电的5奈米芯片则为107.8平方毫米,面积没有太大差异,处理性能也基本相同。

  报道指出,虽然二者在良率上存在差距,但从出货的半导体芯片的性能来看,中芯国际的实力已追赶到比台积电落后3年。虽然线路线宽为7奈米,但可以发挥与台积电的5奈米相同的性能,因此可分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。

  华为的Pura 70 Pro除了存储芯片和传感器之外,还搭载了支撑镜头、电源、显示器功能的共37个半导体。

  其中,海思半导体承担14个,其他中国企业承担18个,从中国以外的芯片来看,只有韩国SK海力士(SK Hynix)的DRAM、德国博世(Bosch)的运动传感器等5个。实际上,86%的半导体产自中国。

  清水洋治分析华为最新款智慧型手机,得出的结论是,“到目前为止,美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新,但推动了中国半导体产业的自主生产”。

  ▲日本半导体调查企业:中国芯片技术仅落后台积电3年水准。

  根据半导体行业团体SEMI数据显示,从2023年制造设备的各地区销售比重来看,中国占34.4%,且购买了韩国和台湾约2倍的设备。

  报道指出,虽然最尖端半导体制造设备的出口管制备受关注,但实际情况是,中国不断采购管制对象外的设备,稳步磨练量产技术。

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