EUV设备是现阶段5nm以下先进制程工艺绕不开的核心设备，也是我国挺直腰板依赖的大国重器。这种设备由极紫外光源、超精密反射镜、超高精度双工件台、真空腔等4部分组成。其中技术难度最大，最关键的零部件是极紫外光源，对输出功率、稳定性、光线纯度等指标提出了极高要求。全世界只有ASML能够生产这种设备，该设备采用的是激光等离子体极紫外光源，已经构建了很高的技术专利壁垒。后来者追赶难度很大。

根据已曝光的信息来看，国产EUV设备按照光源技术原理划分，主要有放电等离子体极紫外光源（DPP-EUV）、激光诱导放电等离子体极紫外光源（LDP-EUV）和激光等离子体极紫外光源（LPP-EUV）等三条技术路线。2025年曾传出华为参与研发的EUV设备采用LDP-EUV技术路线，但光源功率仅50瓦，计划在2026年提升到150瓦。另有消息称国内另一支科研团队已经研制出采用LPP-EUV技术路线的EUV设备，光源功率188瓦。

如果说关于LDP-EUV和LPP-EUV两条技术路线相关消息只能算小道消息，那么最近这条极紫外光源消息则是来源于专业科研论文

2023年9月30日，某专业学术平台发布一篇名为《不同气压下毛细管放电三束等离子体发光功率》的专业科研论文，披露了一种采用DPP-EUV技术路线的国产极紫外光源，根据其公布的数据测算，其光源设计目标功率为500瓦，实测功率已达245瓦。

据了解，ASML第一代EUV设备光源功率为250瓦，而实际上光源功率超过100瓦就能够用于5纳米以下先进制程工艺。也就是说这种国产极紫外光源功率已经能够满足先进制程工艺需求。

国内电子元器件门户网已报道了DPP-EUV设备进展

国内电子元器件门户网《中电网》在2026年7月16日发布了一篇名为《苏州极紫外半导体有限公司推出独创三束等离子体耦合

DPP-EUV 光源样机

差异化路线破解国产光刻光源卡脖子难题》的新闻报道，并详细说明了这款设备相比荷兰ASML生产的LPP-EUV具有结构简单，技术复杂度大幅度降低，运维成本更低，能耗更低（预计可达2.3％，而ASML生产的EUV设备能效仅0.8％）。

报道关键信息包括：

1、关键技术参数

输出波长为13.5nm，2%窄工作带宽，单次脉冲功率10.5瓦，在600–1000Hz工作频率下可达630–1050瓦，已对标国际商用EUV水平。

2、技术原理和背景光源技术

基于毛细管放电三束等离子体耦合机制。该技术源自哈尔滨工业大学EUV光源专家团队二十余年攻关，由2022年成立的苏州极紫外半导体有限公司负责产业化。

3、三大核心技术优势

规避专利壁垒：独创三束耦合架构，完全绕开海外LPP（激光等离子体）路线的海量专利封锁。

解决传统DPP短板：解决了传统单束DPP（放电等离子体）功率低、碎屑污染、稳定性差等工业化短板。

系统架构极简：仅需600–1000Hz低重频即可达工业级功率，无需LPP路线的50kHz超高频率和百千瓦级CO₂激光器，大幅降低成本和运维门槛。

4、当前状态与未来规划

当前状态：属于工程样机阶段，已完成第三方整机联调测试，具备与国产EUV光学模组、工件台集成的工程能力。

目标：计划在2026年完成产品化并实现首台销售，2030年左右实现批量出货。

EUV设备是一种能耗极高的设备，如ASML生产的EUV设备，整机功率超过1350KW，每年电费都是天文数字，再把昂贵的光源和反射镜维护成本算进来，其成本极其高昂。因此，一旦这种EUV设备投产，凭借高近３倍的能效，将大幅度降低先进制程工艺曝光环节的均摊成本，对于本就具有成本优势的中国半导体企业来说可谓如虎添翼，试问谁与争锋？

肚里有粮，心中不慌！这或许就能解释，为何中国政府最近如此硬气，丝毫不惧外国断供！