彭博社6月19日报道，美国商务部长卢特尼克近期在一场闭门会谈中，向阿斯麦（ASML）CEO傅恪礼等高层表达“严峻关切”，称该公司一台极紫外（EUV）光刻机可能违反出口管制流入中国大陆。阿斯麦当即否认，强调从未向中国发运过任何EUV机器或专为其设计的组件。

这事透着蹊跷。美国官员声称“掌握证据”表明阿斯麦向中国出口了EUV相关设备，但以“信息敏感”为由拒绝公开任何佐证。彭博社追问：若有证据，为何不采取更强硬措施？美方官员拒绝回答。一边言之凿凿说有证据，一边死活不肯拿出来证据。

虽然美国拿不出证据，但ASML有。他们向美方提交了一份名为《没有任何迹象表明ASML EUV系统在中国大陆》的文件：全球314台在运行、26台已退役的EUV机器，中国境内数量为零。由于每台机器都内置自动检测系统，任何异常行为都能被追踪，所以阿斯麦笃定地表示，客户未经ASML介入无法自行拆卸、运输或搬迁。

美方的“怀疑”，与其说是基于证据，不如说是基于“我不信你没干”的政治本能。更深层看，这更像一场精心策划的施压——美国正在推动将出口管制从EUV扩大到DUV，企图锁死中国从高端到成熟制程的全部芯片产能。借“EUV可能流入中国”敲打ASML和荷兰，逼他们进一步收紧对华出口，才是真正的目的。至于ASML有没有真的卖给中国EUV，根本不重要。

看了这个消息，我们中国人应该心中有数。这大概率是中国彻底突破光刻机技术之前，美国最后一次无谓的垂死挣扎。

去年，国产光刻机技术已在多领域实现关键突破，形成从90nm到14nm制程的阶梯式发展格局。上海微电子的28nm浸没式DUV光刻机已进入量产测试阶段，核心部件国产化率超70%。中芯国际测试数据显示，该设备良率稳定在90%以上，成本较ASML同类产品低30%。

更关键的是，国产EUV光刻机已进入原理机搭建阶段，光源系统采用哈尔滨工业大学研发的LDP技术，核心部件全部自研。有外媒报道称，国产EUV原型机已于2025年底完成，预计2026年晚些时候即可产出第一批“EUV精炼”芯片。

一些所谓专家以为，中国的光刻机得遵循DUV光刻机-EUV光刻机的路径，像阿斯麦那样上个坑一个坑踩。殊不知，我们拥有后发优势，发展路径是DUV光刻机、EUV光刻机齐头并进。DUV光刻机成熟的时候，EUV光刻机也差不多开发出来了。

坊间估计，2030年前中国能在DUV光刻机领域与阿斯麦并驾齐驱，EUV光刻机领域实现突破并规模量产，这也是华为有底气说在2031年实现等效1.4nm。一切都在计划中，一切都在预料中，我相信美国的情报机构是明白的。

与此同时，中国企业还在探索一条完全绕开ASML的技术路线。2026年6月5日，璞璘科技交付了国产首台真空气压式晶圆级纳米压印光刻机，成功实现8英寸光芯片规模化量产，完全绕开传统DUV光刻路线，将制造成本压缩至DUV方案的十分之一。

美国越是疯狂施压，越是说明它已经预感到——那个靠光刻机卡中国脖子的时代，很快就要结束了。