美國政府對中國華為啟動事實上的出口禁令已有5年。美國政府一直在採取遏制中國芯片技術的措施。不過，實際效果很少被討論。每年拆解100種產品電子產品的日本半導體調查企業TechanaLye(東京中央區)的社長清水洋治表示，中國芯片的實力已經達到比台積電(TSMC)落後3年的水平。

台積電以5納米量產的“KIRIN 9000”(2021年) ㊧和中芯國際以7納米生產的“KIRIN 9010”(2024年)的處理器性能差距不大。(圖由TechanaLye提供)

      “比較一下這兩張照片”，清水展示的是成為2024年4月上市的華為最新款智能手機“華為 Pura 70 Pro”大腦的應用處理器（AP）和截至2021年的高性能智能手機應用處理器的兩張半導體電路圖。

      最新的應用處理器“KIRIN 9010”由華為旗下的海思半導體設計，由中國半導體代工企業中芯國際(SMIC)負責量產。而2021年的應用處理器“KIRIN 9000”由海思半導體設計，台積電負責量產。

      美國政府的警惕對象中芯國際採用的是線路線寬為7納米(納米是10億分之1米)的技術，而台積電當時採用5納米的量產製程，向華為供應處理器。

      一般來說，如果線路線寬變窄，半導體的處理性能就會提高，半導體面積則會變小。據稱中芯國際以7納米量產的芯片面積為118.4平方毫米，台積電的5納米芯片則為107.8平方毫米，面積沒有太大差異，處理性能也基本相同。

      雖然在良品率上存在差距，但從出貨的半導體芯片的性能來看，中芯國際的實力已追趕到比台積電落後3年。雖然線路線寬為7納米，但可以發揮與台積電的5納米相同的性能，因此可以分析出海思半導體的設計能力也進一步提高。

拆解華為最新款智能手機“Pura 70 Pro”（圖由TechanaLye提供）

      Pura 70 Pro除了存儲芯片和傳感器之外，還搭載了支撐攝像頭、電源、顯示屏功能的共37個半導體。其中，海思半導體承擔14個，其他中國企業承擔18個，從中國以外的芯片來看，只有韓國SK海力士的DRAM、德國博世的運動傳感器等5個。實際上，86%的半導體產自中國。

      對於中國在本國生產如此廣泛的半導體，清水洋治表示“事實上，美國的管制對象只是用於人工智能(AI)等的服務器用尖端半導體。只要不構成軍事上的威脅，美國可能就會允許”。

      半導體行業團體SEMI的數據顯示，從2023年製造設備的各地區銷售份額來看，中國占到34.4%，購買了韓國和台灣的約2倍的設備。雖然最尖端半導體製造設備的出口管製備受關注，但實際情況是，中國正在不斷採購管制對象以外的設備，穩步磨練量產技術。

       其中，中芯國際以7納米製程發揮了與台積電5納米相同的性能，這一事實影響巨大。隨着把線路線寬縮小到極限的“微細化”的難度加大，在尖端領域的開發競爭中，台積電要想甩開中國大陸企業變得更加困難。

       清水洋治詳細分析了華為最新款智能手機，得出結論是：“到目前為止，美國政府的管制只是略微減慢了中國的技術創新，但推動了中國半導體產業的自主生產”。