这家美国芯片制造商正试图从亚洲的台积电和三星手中重新夺回全球领导地位，该公司将使用新品牌“Intel 7”指代新上市芯片。
更新于2021年7月26日 19:14 英国《金融时报》 理查德•沃特斯 旧金山报道

英特尔(Intel)在先进芯片制造领域已被亚洲竞争对手反超，试图重新夺回这一领域优势的该公司如今祭出了一件新武器：改变其最先进技术的命名方式。

这家美国芯片制造商周一表示，将不再以半导体晶体管尺寸命名其最新一代芯片制造技术。几十年来，这一直被认为是先进芯片制造的黄金标准，各公司争相在芯片上封装更多晶体管。

英特尔在芯片制造领域的全球领先地位已被台积电(TSMC)和三星(Samsung)夺走，结束了其数十年来总是最先实现每一个新工艺“节点”的优势。

新的命名规则不再按照晶体管尺寸。这意味着英特尔将不再提及因延迟推出导致其陷入困境的“7纳米”芯片。英特尔要到2023年才能推出该芯片。
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相反，英特尔将使用新品牌“Intel 7”指代将在2022年上市的中间一代芯片。

英特尔高级副总裁桑贾伊•纳塔拉詹(Sanjay Natarajan)否认这一改变是为了掩盖英特尔的制造问题。他表示，随着该公司进入代工市场，为其他公司生产芯片，采取这一举措是为了方便客户将其与竞争对手进行比较。

一些分析师也驳斥了英特尔意在掩盖问题的说法，并表示此举是一种迟来的承认，即用来描述芯片制造进步的旧方式已不再适用。

美国芯片分析师帕特里克•穆尔黑德(Patrick Moorhead)表示，尽管其竞争对手仍然用晶体管尺寸命名自己的产品——台积电将其最先进的芯片称为5纳米——但就芯片制造技术而言，随着其他方面的重要性日益突显，这个术语已没有多少意义。

周一，英特尔公布了未来三年的一系列技术和制造目标，希望通过达到这些目标来追赶上台积电和三星。其中包括采用新方法将芯片的不同部分封装到单个半导体上——英特尔新任首席执行官帕特•盖尔辛格(Pat Gelsinger)正指望凭借这种新技术让公司重回领先地位。

穆尔黑德表示，英特尔最先进的芯片在每瓦功耗性能方面——主要衡量指标之一——已经与台积电不相上下，但在密度方面——即一块芯片上可容纳的晶体管数量，智能手机等设备所使用的芯片的关键指标——落后于台积电。

VLSI Research主管丹•哈奇森(Dan Hutcheson)表示，英特尔的旧命名规则让该公司看起来落后台积电两年，而实际上只落后大约6个月。

穆尔黑德说：“如果他们如期实现所有目标，他们就有可能于2024年重回领先地位——但这是一个很大的‘如果’。”

译者/何黎