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5nm芯片频频翻车,3nm又会是极限吗?
送交者: 棋迷 2021-07-22 21:26:50 于 [世界军事论坛]

虽然业界宣称采用最新之称的五纳米芯片在性能和功耗上都非常优秀,但实际表现似乎
并没有达到预期,在发热和耗电上频频翻车。

要搞清楚这个问题,我们得先来看一下芯片是如何耗电的,芯片的功耗可以分为动态功
耗和静态功耗,动态功耗指的是电路状态变化时产生的功耗,静态功耗则是晶体管泄露
电流产生的功耗,尽管每个晶体管产生的漏电流很小,但由于一颗芯片往往集成上百亿
的晶体管,从而导致芯片整体的静态功耗较大,如最早商用的五纳米芯片:A14。搭载
与iphone12的这款芯片晶体管达到118亿个,部分用户就遇到了高耗电问题,在没有开
启更多后台程序的情况下,待机一夜电量下降20%甚至40%,。

当然,最广为用户吐槽的排数骁龙888,首发搭载这款芯片的小米11就被指出提升有限
,而功耗却直接飞升,特别是CPUXG超大核的峰值功耗,简直是突破天际。再加上小米
11对性能的调度比较激进,更加放大了骁龙888的发热问题

高通骁龙888已经被不少人吐槽“翻车”,骁龙888 Plus,是更大的“火龙”。为什么
发热情况如此失控,还要继续提升频率呢?从评价君的理解来看,虽然高通骁龙888
Plus频率更高、也许会更热,但高频率大核带来的确实可以量化的性能提升,用人话说
就是跑分更高。我们在游戏或者其他应用场景中可能会遭遇降频问题,但一些跑分软件
可能几分钟之内就完成跑分测试,受芯片本身发热降频的影响不大。

其实也不必对3nm抱有太大的幻想,尽管台积电声称性能将提升10-15%,但按照目前的
情况来看,这无疑是纸上谈兵,可能变成大火山。

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